Planar and maskless selective growth of AlGaN/GaN HEMT structures on Si111 substrates by ammonia molecular beam epitaxy

Auteur	Rechercher : Haffouz, Soufien¹; Rechercher : Bardwell, Jennifer¹; Rechercher : Tang, Haipeng¹; Rechercher : Kochtane, A.; Rechercher : Baribeau, J-M; Rechercher : Rolfe, Stephen¹
Affiliation	Conseil national de recherches du Canada. Institut des sciences des microstructures du CNRC
Format	Texte, Article
Conférence	The 31th Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits, 2007
Numéro NPARC	12346546
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Identificateur de l’enregistrement	c6e388d7-fd9c-4f5a-a1ad-330fa72520f5
Enregistrement créé	2009-09-17
Enregistrement modifié	2020-04-16