In situ Mg surface treatment of p-type GaN grown by ammonia-molecular-beam epitaxy for efficient ohmic contact formation
In situ Mg surface treatment of p-type GaN grown by ammonia-molecular-beam epitaxy for efficient ohmic contact formation
DOI | Trouver le DOI : https://doi.org/10.1063/1.1543233 |
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Affiliation |
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Format | Texte, Article |
Date de publication | 2003 |
Dans | |
Langue | anglais |
Numéro NPARC | 12333616 |
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Identificateur de l’enregistrement | cf834be7-2a46-46dc-a9e8-fcfd6d704cad |
Enregistrement créé | 2009-09-10 |
Enregistrement modifié | 2020-04-02 |
- Date de modification :