| Auteur | Rechercher : Grant, P. D.1; Rechercher : Mansour, R. R.; Rechercher : Denhoff, M. W.1 |
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| Affiliation | - Conseil national de recherches du Canada. Institut des sciences des microstructures du CNRC
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| Format | Texte, Article |
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| Résumé | Cet article aborde les aspects fondamentaux des interrupteurs RF et fournit une comparaison entre les interrupteurs à semiconducteurs et les interrupteurs microélectromécaniques (MEMS). La comparaison repose sur un facteur de qualité qui est fonction de la capacité à l’état off et de la résistance à l’état on. Un modèle de ligne de transmission simple est adopté pour illustrer l’impact de la capacité à l’état off sur l’isolation de l’interrupteur et sur la plage des fréquences d’utilisation. L’analyse du facteur de qualité présentée dans l’article démontre que les interrupteurs RF MEMS ont une perte d’insertion et des performances d’isolation meilleures que les interrupteurs MESFET et les diodes p-n-p. L’article aborde également d’autres questions de design que les deux paramètres précédents pour guider le choix du bon interrupteur RF. L’article discute également du potentiel de l’utilisation des interrupteurs RF MEMS dans des applications spatiales (satellites) et les applications sans fil. |
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| Date de publication | 2002 |
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| Maison d’édition | IEEE |
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| Dans | |
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| Publication connexe | |
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| Langue | anglais |
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| Publications évaluées par des pairs | Oui |
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| Numéro NPARC | 12743969 |
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| Identificateur de l’enregistrement | d04b4a4c-8e6a-401f-88e3-3cbd5641adcb |
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| Enregistrement créé | 2009-10-27 |
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| Enregistrement modifié | 2023-11-07 |
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