| DOI | Trouver le DOI : https://doi.org/10.1049/el.2010.3543 |
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| Auteur | Rechercher : Yang, Y.1; Rechercher : Liu, H.C.1; Rechercher : Shen, W.Z.; Rechercher : Gupta, J.A.1; Rechercher : Luo, H.1; Rechercher : Buchanan, M.1; Rechercher : Wasilewski, Z.R.1 |
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| Affiliation | - Conseil national de recherches du Canada. Institut des sciences des microstructures du CNRC
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| Format | Texte, Article |
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| Sujet | GaAs/AlGaAs; Near infra red; P-i-n photodetectors; Room temperature; Up-conversion; Wafer fusion; Gallium alloys; Gallium arsenide; Light emitting diodes; Optoelectronic devices; Semiconducting gallium; Infrared devices |
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| Résumé | Reported for the first time is a full GaAs-based room-temperature near-infrared (NIR) up-conversion device fabricated by wafer-fusing a GaNAsSb/GaAs pin photodetector (PD) with a GaAs/AlGaAs light-emitting diode (LED). NIR photons with wavelengths in the range 1.3-1.6m were up-converted to 0.87m. © 2011 The Institution of Engineering and Technology. |
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| Date de publication | 2011 |
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| Dans | |
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| Langue | anglais |
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| Publications évaluées par des pairs | Oui |
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| Numéro NPARC | 21271208 |
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| Identificateur de l’enregistrement | d093a160-588e-4229-ba9a-50d1821f5d6a |
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| Enregistrement créé | 2014-03-24 |
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| Enregistrement modifié | 2020-04-21 |
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