| DOI | Trouver le DOI : https://doi.org/10.1109/ICIPRM.2002.1014493 |
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| Auteur | Rechercher : Poole, P. J.1; Rechercher : Allen, C.Ni.1; Rechercher : Marshall, P.1; Rechercher : Fraser, J.1; Rechercher : Moisa, S.1; Rechercher : Raymond, S.1; Rechercher : Fafard, S.1 |
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| Affiliation | - Conseil national de recherches du Canada. Institut des sciences des microstructures du CNRC
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| Commanditaire | Rechercher : IEEE Electron Devices Society; Rechercher : LEOS (IEEE) |
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| Format | Texte, Article |
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| Conférence | 14th Indium Phosphide and Related Materials Conference : IPRM, 12-16 May 2002, Stockholm, Sweden |
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| Résumé | Quantum dot lasers containing five stacked layers of InAs quantum dots (QDs) embedded in quaternary InGaAsP are grown on [100] InP substrates. The QD ensemble has a density of 1.5 × 1010 cm-2 and emits light at ∼1.6 μm at 77 K. Lasing wavelength and threshold current density can be shifted by changing the cavity length of the laser diode and the latter reaches a value as low as 49 A/cm2 at 77 K for a gate size of 2000 μm × 150 μm. Temperature dependence of the threshold current is observed implying the presence of thermionic emission increasing with temperature. |
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| Dans | |
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| Langue | anglais |
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| Numéro NPARC | 12346363 |
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| Identificateur de l’enregistrement | d09674a4-0593-4f24-88cc-b9a32ad50d52 |
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| Enregistrement créé | 2009-09-17 |
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| Enregistrement modifié | 2020-04-16 |
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