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High extinction ratio and broadband silicon TE-pass polarizer using subwavelength grating index engineering

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  1. (PDF, 781 Kio)
DOITrouver le DOI : https://doi.org/10.1109/JPHOT.2015.2483204
AuteurRechercher : 1; Rechercher : 1; Rechercher : 1; Rechercher : 1Identifiant ORCID : https://orcid.org/0000-0003-4232-9130; Rechercher :
Affiliation
  1. Conseil national de recherches Canada. Technologies de l'information et des communications
FormatTexte, Article
Sujetwaveguides; subwavelength structures; silicon nanophotonics
Résumé
We propose and experimentally demonstrate a novel approach to implement a low loss, broadband and compact transverse electric (TE)-pass polarizer on a silicon-on-insulator (SOI) platform. The TE-polarizer utilizes a subwavelength grating (SWG) structure to engineer the waveguide equivalent material index. In this work, the SWG-based polarizer only supports its fundamental TE mode while the transverse magnetic (TM) mode is suppressed under the cut-off condition, i.e., the TM mode leaks from the waveguide with a low reflection. The simulations predict that the bandwidth to achieve a polarization extinction ratio (ER) of 35 dB exceeds 200 nm. Experimentally, the measured polarization ER is ~30 dB and the average insertion loss is 0.4 dB, in the wavelength range 1470 nm - 1580 nm. The fabricated TE-polarizer has a compact length of 60 μm.
Date de publication
Dans
  • IEEE Photonics Journal.
Langueanglais
Publications évaluées par des pairsOui
Numéro NPARC21276377
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Identificateur de l’enregistrementdc22c28e-4d99-439d-a176-076389f9bf5b
Enregistrement créé2015-10-07
Enregistrement modifié2020-06-04

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Date de modification :