| DOI | Trouver le DOI : https://doi.org/10.1088/0957-4484/22/23/235704 |
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| Auteur | Rechercher : Marshall, Gregory M.1; Rechercher : Lopinski, Gregory P.2; Rechercher : Bensebaa, Farid1; Rechercher : Dubowski, Jan J. |
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| Affiliation | - Conseil national de recherches du Canada. Institut de technologie des procédés chimiques et de l'environnement du CNRC
- Conseil national de recherches du Canada. Institut Steacie des sciences moléculaires du CNRC
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| Format | Texte, Article |
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| Résumé | The electro-optic characteristics of the semi-insulating and n⁺ -type GaAs(001) surfaces passivated with n-alkanethiol self-assembled monolayers were investigated using Kelvin probe surface photovoltage (SPV) and photoluminescence (PL) techniques. Referencing the equilibrium surface barrier height established in an earlier report, SPV measurements demonstrated a significant (>100 mV) increase in the non-equilibrium band-bending potential observed under low-level photo-injection. Modeling of the SPV accounts for these observations in terms of a large (>10⁴) decrease in the hole/electron ratio of surface carrier capture cross-sections, which is suggested to result from the electrostatic potential of the interfacial dipole layer formed upon thiol chemisorption. The cross-section effects are verified in the high-injection regime based on carrier transport modeling of the PL enhancement manifested as a reduction of the surface recombination velocity. |
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| Date de publication | 2011-04-14 |
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| Maison d’édition | IOP |
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| Dans | |
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| Langue | anglais |
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| Publications évaluées par des pairs | Oui |
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| Numéro du CNRC | NRCC 53017 |
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| Numéro NPARC | 20607214 |
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| Exporter la notice | Exporter en format RIS |
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| Identificateur de l’enregistrement | e09495d0-4fff-4058-b652-56b942c6df5d |
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| Enregistrement créé | 2012-09-14 |
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| Enregistrement modifié | 2021-07-30 |
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