Scanning voltage microscopy on active semiconductor lasers: the impact of doping profile near an epitaxial growth interface on series resistance
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DOI | Trouver le DOI : https://doi.org/10.1109/JQE.2004.828262 |
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Format | Texte, Article |
Date de publication | 2004 |
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Numéro NPARC | 12744366 |
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Identificateur de l’enregistrement | e634714c-747e-4310-aa78-9876827457be |
Enregistrement créé | 2009-10-27 |
Enregistrement modifié | 2020-04-17 |
- Date de modification :