A study of the temperature sensitivity of GaAs-(Al,Ga)As multiple quantum-well GRINSCH lasers
A study of the temperature sensitivity of GaAs-(Al,Ga)As multiple quantum-well GRINSCH lasers
DOI | Trouver le DOI : https://doi.org/10.1109/2944.401201 |
---|---|
Auteur | Rechercher : 1; Rechercher : 1; Rechercher : 1; Rechercher : 1; Rechercher : ; Rechercher : |
Affiliation |
|
Format | Texte, Article |
Sujet | aluminium compounds; diffusion; drift-diffusion equations; GaAs-(Al,Ga)As multiple quantum-well GRINSCH lasers; GaAs-AlGaAs; gallium arsenide; gradient index optics; GRINSCH; III-V semiconductors; laser theory; MQW lasers; multiple quantum-well; optimum number; quantum well lasers; quantum well number; semiconductor device models; sensitivity; temperature sensitivity; temperature-dependent factors; temperature-dependent model; well-number behavior |
Résumé | |
Date de publication | 1995 |
Dans | |
Langue | anglais |
Numéro NPARC | 12327982 |
Exporter la notice | Exporter en format RIS |
Signaler une correction | Signaler une correction (s'ouvre dans un nouvel onglet) |
Identificateur de l’enregistrement | e9b506c7-7ffe-4fdc-b837-7c35685816ca |
Enregistrement créé | 2009-09-10 |
Enregistrement modifié | 2020-04-29 |
- Date de modification :