| DOI | Trouver le DOI : https://doi.org/10.1063/1.4813560 |
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| Auteur | Rechercher : Mala, S. A.; Rechercher : Tsybeskov, L.; Rechercher : Lockwood, D. J.1; Rechercher : Wu, X.2; Rechercher : Baribeau, J.-M.2 |
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| Affiliation | - Conseil national de recherches du Canada. Science des mesures et étalons
- Conseil national de recherches du Canada. Technologies de l'information et des communications
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| Format | Texte, Article |
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| Sujet | Excitation energy density; Hetero-interfaces; Output intensity; PL property; Si/SiGe; Germanium; Multilayers; Silicon alloys; Photoluminescence |
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| Résumé | An intense photoluminescence (PL) peaking near 0.9 eV is emitted by a single Si1-xGex nanometer-thick layer (NL) with x ≈ 8% incorporated into Si/Si0.6Ge0.4 cluster multilayers (CMs). The SiGe NL PL does not saturate in output intensity with up to 50 mJ/cm^2 of excitation energy density, and it has nearly a 1000 times shorter lifetime compared to CM PL, which peaks at ∼0.8 eV. These dramatic differences in observed PL properties are attributed to different compositions and structures of the Si/SiGe NL and CM hetero-interfaces. |
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| Date de publication | 2013-07-15 |
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| Dans | |
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| Langue | anglais |
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| Publications évaluées par des pairs | Oui |
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| Numéro NPARC | 21270368 |
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| Identificateur de l’enregistrement | eeb36ef8-8678-498e-b08d-d7a39e618988 |
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| Enregistrement créé | 2014-02-05 |
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| Enregistrement modifié | 2020-04-22 |
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