| DOI | Trouver le DOI : https://doi.org/10.1016/S0013-4686(00)00610-1 |
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| Auteur | Rechercher : Allongue, Philippe; Rechercher : Henry de Villeneuve, Catherine; Rechercher : Morin, Sylvie1; Rechercher : Boukherroub, Rabah1; Rechercher : Wayner, Danial D. M.1 |
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| Affiliation | - Conseil national de recherches du Canada. Institut Steacie des sciences moléculaires du CNRC
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| Format | Texte, Article |
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| Sujet | AFM; Etching; Flat H-Si(111) surface; Mechanism |
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| Résumé | The reasons why ideally flat H-Si(111) surface can be prepared by NH4F etching are investigated from correlation between AFM observations and experimental conditions used for etching. It is shown that pitting may be completely suppressed if a one side polished wafer is immersed in an oxygen free solution. An analytical electrochemical study of the (111) and rough face of the same n-Si wafer is presented to yield insight into observations. |
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| Date de publication | 2000-10-13 |
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| Dans | |
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| Langue | anglais |
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| Numéro NPARC | 12328350 |
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| Identificateur de l’enregistrement | f15b1512-bb8b-4733-bee9-390748399f88 |
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| Enregistrement créé | 2009-09-10 |
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| Enregistrement modifié | 2020-03-26 |
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