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AlGaN/GaN Metal-Oxide-Semiconductor High Electron Mobility Transistors Using Oxide Insulator Grown by Photoelectrochemical Oxidation Method

Par Conseil national de recherches du Canada

DOITrouver le DOI : https://doi.org/10.1109/EDSSC.2007.4450115
AuteurRechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : 1; Rechercher : 1; Rechercher : 2
Affiliation
  1. Conseil national de recherches du Canada. Institut des sciences des microstructures du CNRC
  2. Conseil national de recherches du Canada. Institut Steacie des sciences moléculaires du CNRC
FormatTexte, Article
Date de publication
Dans
  • IEEE Electron Device Letters 29 (2008) : 275–278.
Numéro NPARC12744231
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Identificateur de l’enregistrementf565daf3-7dd6-489c-a698-b3052390bc97
Enregistrement créé2009-10-27
Enregistrement modifié2020-04-15
Date de modification :