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Image transformation in integrated quantum well infrared photodetector-light emitting diode

Par Conseil national de recherches du Canada

DOITrouver le DOI : https://doi.org/10.1063/1.365922
AuteurRechercher : ; Rechercher : 1; Rechercher :
Affiliation
  1. Conseil national de recherches du Canada. Institut des sciences des microstructures du CNRC
FormatTexte, Article
Sujetinfrared detectors; integrated optoelectronics; light emitting diodes; semiconductor quantum wells
Résumé
We present an analysis of physical effects responsible for infrared image transformation in integrated quantum well infrared photodetector-light emitting diode (QWIP-LED). For a large-area device, the spatial smearing of the transformed image is determined by the lateral photocurrent spreading in the QWIP and the lateral diffusion of carriers injected into the LED. For devices with low QWIP photocurrent gain, the spatial resolution is limited by the carrier diffusion lengths in the QWIP and in the LED active region, which are much shorter than radiation wavelength, and hence, the transformed image is practically undistorted.
Date de publication
Dans
  • Journal of Applied Physics 82, nº 3 (1997) : 1446–1449.
Langueanglais
Numéro NPARC12327808
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Identificateur de l’enregistrementf735c7de-158a-450d-addf-7cf756ba51c2
Enregistrement créé2009-09-10
Enregistrement modifié2020-03-20
Date de modification :